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    기술자료

    • [전자부품] [반도체] RV-8263-C7 Real-Time Clock Modules-Micro Crystal   
      2024-02-02 16:05 | 조회수 : 10

      번호: 47











      Micro Crystal RV-8263-C7 실시간 시계 모듈



      Micro Crystal RV-8263-C7 실시간 클럭 모듈은 통합 CMOS 회로와 XTAL을 통합한 SMT 실시간 클럭 모듈입니다. 이 실시간 시계 모듈은 IC2 버스와 함께 제공되며 금속 뚜껑이 있는 기밀 밀봉 세라믹 패키지에서 진공 상태에서 작동합니다. 일반적인 응용 프로그램에는 IoT, 미터링, 산업, 자동차, 헬스케어, 웨어러블 및 휴대용이 포함됩니다.



      특징들


      ✔️SMT 실시간 클럭 모듈
      ✔️통합 CMOS 회로를 XTAL과 함께 통합
      ✔️IC버스2
      ✔️금속 뚜껑이 있는 밀폐된 세라믹 패키지에서 진공 상태에서 작동합니다.
      ✔️사용자 프로그래밍 가능 오프셋 값
      ✔️오실레이터 중지 감지
      ✔️연도, 월, 날짜, 평일, 시간, 분, 초를 제공합니다.
      ✔️윤년 자동계산 : 2000년~2099년
      ✔️타이머 및 알람 기능
      ✔️Pb-free 및 RoHS 호환
      ✔️AEC-Q200에 따른 자동차 자격 취득 가능


      사양



      ✔️190nA @ 3V 저전력 소비
      ✔️0.9V ~ 5.5V 넓은 동작 전압 범위
      ✔️±20ppm @ 25°C 시간 정확도
      ✔️-40°C ~ 85°C 작동 온도 범위
      ✔️32.768kHz ~ 1Hz 클럭 출력 주파수
      ✔️400kHz IC2 버스 인터페이스


      적용들



      ✔️사물인터넷
      ✔️계량
      ✔️산업
      ✔️오토모티브
      ✔️헬스케어
      ✔️웨어러블
      ✔️휴대용

      블록 다이어그램






      관련 RV-8263-C7 평가위원회





      마이크로크리스탈 RV-8263-C7 평가판

      RV-8263-C7 실시간 시계 모듈을 평가하도록 설계되었습니다.


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    • [전자부품] [반도체] EVAL-M1-6ED2230-B1 평가 보드-Infineon Technologies   
      2024-02-02 15:59 | 조회수 : 5

      번호: 46









      Infineon Technologies EVAL-M1-6ED2230-B1 평가 보드


      Infineon EVAL-M1-6ED2230-B1 EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC 게이트 드라이버 IC 평가 보드는 모터 제어를 위한 iMOTION™ MADK(모듈식 애플리케이션 설계 키트)용 호환 전력 보드를 제공합니다.


      MADK 플랫폼은 EVAL-M1-099M-C 또는 EVAL-M1-1302를 비롯한 다양한 컨트롤 보드와 함께 사용하도록 설계되었습니다. 이 보드는 20핀 M1 인터페이스 커넥터를 통해 전원 보드에 쉽게 인터페이스될 수 있습니다.


      EVAL-M1-6ED2230-B1 평가 보드는 EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC 및 EasyPIM™ 1B 전력 모듈을 갖춘 종합적인 전력단 솔루션을 제공하기 위한 보드입니다. 이 보드는 AC 및 DC 입력부가 있고 3상 전력 출력을 제공합니다. 또한 이 장치에는 전류 감지를 위한 단일 이미터 션트와 DC-링크 전압 측정을 위한 전압 분배기가 포함되어 있습니다.




      특징



      ✔️Infineon 박막 SOI 기술
      ✔️+1,200V까지 완벽하게 작동
      ✔️초고속 부트스트랩 다이오드 및 OCP 통합
      ✔️부트스트랩 작동을 위해 설계된 플로팅 채널
      ✔️출력 소스/싱크 전류 성능: +0.35A/-0.65A
      ✔️SOI기술을 통해 제공되는 최대 -100V의 내거티브 과도 전압에 대한 내성(펄스 폭 700ns)
      ✔️두 채널 모두에 대한 부족전압 로크아웃
      ✔️3.3V, 5V 및 15V 입력 로직 호환
      ✔️±5% ITRIP 임계값으로 과전류 보호
      ✔️동일한 핀에서 오류 보고, 자동 장애 제거 및 활성화 기능(RFE)
      ✔️모든 채널에 대한 일치하는 전달 지연
      ✔️통합된 460ns 데드타임 보호
      ✔️슛스루(교차 전도) 보호
      ✔️1,200V, 15A 3상 입력 정류기 PIM(전력 통합 모듈) IGBT 모듈
      ✔️고속 TRENCHSTOP™ IGBT4, 이미터 제어 4 다이오드 및 NTC
      ✔️낮은 스위칭 손실
      ✔️정온도 계수를 가진 VCEsat
      ✔️낮은 VCEsat
      ✔️열 저항이 낮은 Al2O3 기판
      ✔️콤팩트한 설계
      ✔️솔더 접점 기술
      ✔️통합 장착 클램프 덕분에 견고한 장착 가능


      사양



      ✔️6ED2230S12T 및 FP15R12W1T4 구성
      ✔️AC/DC 입력 유형
      ✔️최대 2,000.0W Pout
      ✔️산업용 인증
      ✔️공급 전압: 최소 200.0V~최대 800.0V
      ✔️3상 모터 토폴로지
      ✔️모터 전력 범위: 최대 2kW
      ✔️온보드 과전류 보호
      ✔️FP15R12W1T4 15A(TC = 100°C) EasyPIM™ 전력 모듈
      ✔️RoHS 규격 준수
      ✔️PCB는 130 x 120mm이며 2개의 층이 있음(각 구리는 35μm임)


      애플리케이션


      ✔️난방, 환기 및 공조 HVAC
      ✔️모터 제어 및 드라이브
      ✔️HVAC 펌프
      ✔️HVAC 환기


      레이아웃






      관련 제품





      Infineon Technologies EVAL-M1-099M 모듈식 애플리케이션 설계 키트


      IRMCK099M iMOTION 모터 제어 IC 기반의 개발 도구.



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    • [전자부품] [반도체] AP62300/1 및 AP62300T 동기식 벅 변환기-Diodes Inc   
      2024-02-02 15:52 | 조회수 : 8

      번호: 45






      Diodes Incorporated AP62300/1 및 AP62300T 동기식 벅 변환기



      Diodes Incorporated AP62300, AP62301 및 AP62300T 동기식 벅 변환기는 75mΩ 하이 측 전력 MOSFET과 45mΩ 로우 측 전력 MOSFET을 통합하여 고효율 강압 DC-DC 변환 기능을 제공합니다. 이 벅 변환기는 3A의 연속 출력 전류를 제공하며 4.2~18.0V의 넓은 입력 전압 범위를 제공합니다. AP62300, AP62301 및 AP62300T 동기식 벅 변환기는 외부 구성 요소 수를 최소화하는 COT(Constant On-Time) 제어 기능을 채택하고 있습니다. 이는 빠른 과도 응답, 쉬운 루프 안정화 및 낮은 출력 전압 리플을 달성하는데 도움이 됩니다. 


      AP62300, AP62301 및 AP62300T 동기식 벅 변환기는 EMI(전자파 간섭) 감소에 맞게 최적화되어 있습니다. 이 장치는 MOSFET 턴 온 및 턴 오프 시간을 희생하지 않고 스위칭 노드 링잉을 방지하는 독점 게이트 드라이버 방식을 가지고 있어 MOSFET 스위칭으로 인한 고주파 방사 EMI 잡음을 줄입니다.


      AP62300 및 AP62301은 SOT563 및 TSOT26 패키지로 제공됩니다. AP62300T는 TSOT26 패키지로 제공됩니다. 이 장치는 완벽한 EU 지침 2002/95/EC(RoHS), 2011/65/EU(RoHS 2) 및 2015/863/EU(RoHS 3) 규격을 준수합니다.



      특징



      ✔️4.2~18.0V 넓은 입력 범위(VIN)
      ✔️0.8~7V 출력 전압(VOUT)
      ✔️3A 연속 출력 전류
      ✔️기준 전압
      ➡️AP62300 및 AP62301: 0.8V±1% (TA=+25°C)
      ➡️AP62300T: 0.763V±1% (TA=+25°C)
      ✔️750kHz 스위칭 주파수 (VIN=12V, VOUT=5V)
      ✔️155μA 낮은 대기 전류(펄스 주파수 변조)
      ✔️5mA의 경부하에서 최대 83% 효율
      ✔️최고의 EMI 감소를 위한 고유한 게이트 드라이버 설계

      ✔️보호 회로
      ➡️UVLO(부족 전압 록아웃)
      ➡️사이클 바이 사이클 밸리 전류 제한
      ✔️과열 차단
      ✔️패키지 옵션
      ➡️AP62300 및 AP62301: SOT563, TSOT26
      ➡️AP62300T: TSOT26
      ✔️완전 무연 및 RoHS 규격 완전 준수 
      ✔️무할로겐 및 무안티몬, "친환경" 장치



      애플리케이션



      ✔️5V 및 12V 분산 전원 버스 공급 전압
      ✔️평면 스크린 TV 세트 및 모니터
      ✔️셋톱박스
      ✔️가전제품
      ✔️FPGA, DSP 및 ASIC 전원
      ✔️백색 가전 및 소형 소비자 전자 장치
      ✔️홈 오디오
      ✔️네트워크 시스템
      ✔️범용 PoL(Point of Load)



      개발 도구





      Diodes Incorporated AP6230x-EVM 평가 보드

      AP62300, AP62300 및 AP62300T 동기식 벅 변환기용 데모 플랫폼입니다.


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      관련 제품





      Diodes Incorporated AP62200 동기식 벅 변환기

      4.2~18V의 넓은 입력 전압 범위로 2A의 연속 출력 전류를 제공합니다.





      기능 블록 선도





      일반 애플리케이션 회로





      패키지 외형







      관련 제품




      Diodes Incorporated DC/DC 벅 변환기

      콤팩트한 설계 장치에 높은 효율, 비용 효율성 및 설계 유연성을 제공합니다.


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    • [전자부품] 정숙한 고속 역회복 다이오드   
      2024-02-02 11:02 | 조회수 : 6

      번호: 44


      정숙한 고속 역회복 다이오드

      -모든 공진형 컨버터를 향상시키는 STMicroelectronics의 600V 다이오드



      STMicroelectronics는 기판 실장형 배터리 충전기(OBC), 2륜 또는 3륜 충전기, 전기 자동차(EV) 충전소 및 산업용 컨버터를 위해 개발된 600V의 정숙한 고속(RQ) 다이오드를 제공합니다. 

      이 다이오드는 -40°C ~ +175°C에서 VRRM이 보장되며, EMI를 줄이는 소프트 역회복과 낮은 VF 간의 독특한 상반 관계로 모든 공진 기반 토폴로지에서 효율성을 달성할 수 있는 게 특징입니다. 

      15A ~ 60A 순방향 전류 정격 범위에서 ST의 STTH15RQ06(Y), STTH30RQ06(Y) 및 STTH60RQ06(Y)은 산업용 및 자동차용 AEC-Q101 인증을 모두 획득한 표면 실장(D²PAK) 및 스루홀(TO-220AC 및 DO-247) 패키지로 제공됩니다.






      ✔️특징


      ➡️최적의 성능 지수(VF x Qrr)의 고속 소프트 회복

      ➡️ECOPACK® 2 부품

      ➡️-40°C ~ +175°C에서 보장된 VRRM을 갖춘 자동차 다이오드

      ➡️AEC-Q101 인증 및 자동차 버전용 PPAP

      ➡️더 높은 스위칭 주파수에서 작동 가능

      ➡️총 시스템 손실, 전도 및 스위칭 감소

      ➡️EMI 잡음 억제

      ➡️고품질의 성능 제공

      ➡️시스템 안정성 향상



      ✔️응용 분야


      ➡️OBC

      ➡️2륜 또는 3륜 충전기

      ➡️EV 충전 스테이션

      ➡️SMPS

      ➡️UPS

      ➡️산업용 컨버터의 고전력 컨버터



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      DIODE GEN PURP 600V 60A DO247

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    • [전자부품] 전기차 충전기   
      2024-02-02 10:49 | 조회수 : 7

      번호: 43


      전기차 충전기



      ➡️전기차 세계에서 전자제품의 미래는 무엇입니까?



      더 많은 교통 수단이 전기화(및 화석 연료의 필요성 제거)로 전환됨에 따라 차량 건설 및 인프라 개발 측면에서 변경해야 할 몇 가지 사항이 있습니다.


      가스 탱크는 전기 에너지 저장 장치로 대체되고 내연 기관(ICE)은 전기 모터로 대체되며, 연료 분배, 기계적 연결 및 배기 장치와 같은 주요 시스템이 필요하지 않기 때문에 차량을 보다 간단하고 쉽게 제조할 수 있습니다. 휠에 직접 닿지 않는 경우 악셀에 더 가깝게 동작을 생성할 수 있고 배터리 팩에서 배선을 통해 전력이 전달됩니다.


      이러한 차량을 충전하고 전력을 공급하기 위한 전력은 녹색 또는 저공해 공급원일 수 있지만 석탄 화력 발전소일 수도 있습니다.


      또 다른 주요 문제는 전기 자동차 충전 지점이 그 어느 때보다 빠르지만 여전히 휘발유와 같은 액체 연료를 사용하여 탱크를 다시 채우는 것보다 더 오래 걸린다는 것입니다.




      내연기관(ICE) 시대가 끝나감에 따라 교통의 전기화(Electrication in Transportation) 시대가 시작되고 있습니다. 이러한 전환은 보다 효율적이고 낮은 오염 운송 솔루션을 지향하고 있습니다. 전환은 또한 충전 인프라와 같은 새로운 과제를 가져옵니다.


      전기 자동차(EV) 충전소는 전기 자동차에 연료를 공급할 수 있는 커넥터가 있는 전원 공급 장치입니다. 이를 충전 지점이라고도 합니다.




      ✔️충전기 카테고리



      ➡️레벨 1 – EV의 가장 기본적인 AC 충전 장치입니다. 차량 배터리 팩은 직류(DC) 전기로만 충전할 수 있는 반면, 대부분의 차량에는 AC 전원을 직류 전원으로 변환할 수 있는 충전 회로가 내장되어 있습니다.
      충전기는 일반적으로 밤샘 주차가 드문 가정에서 볼 수 있습니다.
      레벨 1은 110V 또는 120V 입력만 사용하면 되고 1~2킬로와트의 전력을 출력하기 때문에 거의 모든 곳에서 표준 전기 콘센트를 사용할 수 있습니다.


      ➡️레벨 2 – 레벨 1 충전기에서 한 단계 더 업그레이드되어 몇 시간 내에 차량 배터리 팩을 빠르게 충전할 수 있습니다.
      레벨 2 충전기는 일반적으로 220V 또는 240V 후크가 필요하며 3~19킬로와트를 출력할 수 있습니다.
      레벨 2 AC 충전기는 일반적으로 전기차 충전을 위한 공용 공간 또는 EVSP(Electric Vehicle Service Provider)에서 전문적으로 설치된 개인 공간에서 사용할 수 있습니다.


      ➡️레벨 3 – 직류(DC) 충전, "급속 충전기". 직류 급속 충전은 가장 높은 전력과 가장 빠른 EV 충전소입니다. 배터리를 1시간 이내에 거의 충전할 수 있지만, 충전하려면 엄청난 양의 전력이 필요합니다.
      대부분의 직류 급속 충전 스테이션에는 최소 480V와 100A가 필요하지만 일부 새로운 스테이션에는 1000V와 500A의 전력이 제공됩니다.
      이러한 DC 급속 충전소는 휴게소나 쇼핑몰 근처 등 공용 구역에서만 흔히 볼 수 있습니다.








      ✔️플러그형



      이러한 EV 충전기용 플러그 유형은 여러 지역에서 사용되며, 전기차와 충전기 사이의 전원 및 통신을 위한 도체가 포함되어 있습니다.
      AC 충전 커넥터에 대한 정의된 표준이 있습니다. 

      AC 충전이 가능하려면 EV 내에 OBC(Onboard Charger)가 필요합니다.자동차공학회(SAE)와 국제전기기술위원회(IEC)





    • [전자부품] [반도체] FR900R12IP4D PrimePACK™ 3+ IGBT 모듈 - Infineon Technologies   
      2024-02-01 16:21 | 조회수 : 6

      번호: 42










      Infineon Technologies FR900R12IP4D PrimePACK™ 3+ IGBT 모듈



      Infineon Technologies FR900R12IP4D PrimePACK™ 3+ IGBT 모듈은 TRENCHSTOP™ IGBT4 및 이미터 제어 다이오드가 있는 1200V, 900A 듀얼 IGBT 모듈입니다.
      이 모듈은 높은 단락 성능과 높은 전류 밀도를 제공합니다. FR900R12IP4D PrimePACK™ 3+ IGBT 모듈은 4kV AC 1분 절연, 높은 기계적 견고성, 높은 연면 거리 및 간극과 같은 기계적 특징이 있습니다.
      스위치드 자기저항 드라이브, 상업용 농업용 차량 및 모터 드라이브에 사용됩니다.



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      특징



      ✔️전기적 특성:
      ➡️높은 단락 성능
      ➡️높은 전류 밀도
      ➡️낮은 VCEsat
      ➡️Tvjop = 150°C
      ➡️정온도 계수를 가진 VCEsat
      ➡️재생 작동을 위한 확장 다이오드

      ✔️기계적 특성:
      ➡️4kV AC 1분 절연
      ➡️CTI가 400을 초과하는 패키지
      ➡️높은 연면 거리 및 간극 거리
      ➡️높은 기계적 견고성
      ➡️높은 내진동성
      ➡️통합 NTC 온도 센서


      애플리케이션



      ✔️스위치형 자기저항 드라이브
      ✔️상업용 농업 차량
      ✔️모터 드라이브
      ✔️초퍼 애플리케이션


      사양



      ✔️최대 콜렉터 전류(IC): 900A
      ✔️1.7V VCE(sat) (Tvj = 25°C, 표준)
      ✔️1.65V VF(Tvj = 25°C, 표준)
      ✔️전압 등급: 1,200V
      ✔️치수:
      ➡️폭: 89mm
      ➡️길이: 250mm



      회로도









    • [전자부품] [반도체] SiC(탄화 규소) 반도체-Microchip Technology   
      2024-02-01 16:13 | 조회수 : 6

      번호: 41







      Microchip Technology SiC(탄화 규소) 반도체



      Microchip Technology 탄화 규소(SiC) 반도체는 산업, 의료, 군사/항공우주, 항공 및 통신 시장 부문을 포괄하는 제품에서 시스템 효율성, 더 작은 폼팩터 및 더 높은 작동 온도를 개선하려는 전력 전자 설계자를 위한 혁신적인 옵션입니다.
      Microchip의 차세대 SiC MOSFET 및 SiC 쇼트키 배리어 다이오드(SBDS)는 높은 반복성 무클램핑 유도 스위칭(UIS) 기능으로 설계되었으며, SiC MOSFET는 제곱 센티미터당 약 10J/cm
      2~15J/cm2 및 3~5마이크로초만에 강력한 단락 보호 기능을 유지합니다. Microchip Technology SiC SBD는 낮은 역전류에서 평형 서지 전류, 순방향 전압, 열 저항 및 열 정격 정전용량으로 설계되어 스위칭 손실을 낮춥니다.
      또한 모듈에 사용하기 위해 SiC MOSFET 및 SiC SBD 다이를 함께 페어링할 수 있습니다.





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      특징



      ✔️극히 낮은 스위칭 손실
      제로 역방향 회복 충전으로 시스템 효율 개선

      ✔️높은 전력 밀도의
      작은 설치 공간의 장치로 시스템 크기 및 무게 감소

      ✔️높은 열 전도성
      규소보다 2.5배 더 높은 열전도성

      ✔️싱크 요구
      사항 감소로 비용 절감 및 크기 감소

      ✔️고온 작동으로
      전력 밀도 향상 및 신뢰성 향상



      애플리케이션



      ✔️국방
      ✔️산업용
      ✔️의료
      ✔️태양광 솔루션
      ✔️파워트레인 및 EV 충전
      ✔️레이더 전자전
      ✔️레이더 EW RF 프런트 엔드
      ✔️우주


      선택 지침




      주요 SIC 제품






      Microchip Technology SiC(실리콘 카바이드) MOSFET

      기존 실리콘(Si) 전력 MOSFET보다 우수한 동적 및 열 성능을 제공합니다.


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    • [전자부품] [반도체] PIC-BLE 개발 보드(DT100112)-Microchip Technology   
      2024-02-01 15:54 | 조회수 : 6

      번호: 40







      Microchip Technology PIC-BLE 개발 보드(DT100112)



      Microchip Technology PIC-BLE 개발 보드(DT100112)는 XLP(eXtreme Low POWER) 무선 애플리케이션을 빠르고 쉽게 개발할 수 있도록 설계되었습니다.
      PIC-BLE 개발 보드는 강력한 PIC16LF18456 MCU(마이크로컨트롤러), ATECC608A CryptoAuthentication™ 보안 소자 및 RN4870 BLUETOOTH® 저에너지 모듈을 결합하고 있습니다.



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      특징



      ✔️PIC16LF18456 XLP 마이크로컨트롤러

      ✔️RN4870 Bluetooth 저에너지(BLE) 모듈

      ✔️ATECC608A CryptoAuthentication 장치

      ✔️Bosch Sensortec BMA253 3축 가속 센서

      ✔️SST25PF040CT 4Mb 직렬 플래시

      ✔️MCP9844 고정밀 온도 센서

      ✔️mikroBUS™ 헤더 - 700개 이상의 센서 및 액추에이터 연결 가능

      ✔️사용자 LED 2개

      ✔️사용자 푸시 버튼

      ✔️온보드 USB 인터페이스 포함:

      ➡️Atmel Studio 및 Microchip MPLAB X의 보드 식별

      ➡️프로그래밍 및 디버깅

      ➡️가상 COM 포트(CDC)

      ➡️로직 분석기 채널(DGI 디버그 GPIO) 2개

      ➡️드래그 앤 드롭 프로그래밍(MSD)

      ✔️USB 또는 CR2032 배터리를 통해 전력 공급




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    • [전자부품] [반도체] MAX25410 USB PD 포트 보호기-Analog Devices / Maxim Integrated   
      2024-02-01 15:11 | 조회수 : 9

      번호: 39


      Analog Devices / Maxim Integrated











       Analog Devices / Maxim Integrated MAX25410 USB PD 포트 보호기



      Analog Devices Inc. MAX25410 USB PD 포트 보호기는 자동차 라디오, 내비게이션, 연결 및 USB 허브/멀티미디어 모듈 애플리케이션용 자동차 USB 전력 공급(USB-PD) 기반 Type-C 보호 솔루션입니다.
      이 장치는 USB Type-C™ 커넥터에 CC1, CC2, D+ 및 D- 신호를 위한 단일 칩 자동차 USB-PD 보호 솔루션을 제공합니다.
      MAX25410은 VCONN 스위치에 전용 전원 공급 장치가 필요없는 고급 결함 관리 기능도 제공합니다.

      장치 보호기능으로는 보호되는 HVCC1, HVCC2, HVD+ 및 HVD- 핀에서 ±15kV IEC 61000-4-2, ISO 10605 ESD 및 VBUS(24V) 단락 기능을 들 수 있습니다.
      또한 이 장치는 통합 BC1.2 충전 감지 CDP, DCP 또는 패스 스루(SDP) 모드, Apple® 2.4A, Samsung® 2A 및 China YD/T 1591-2009 충전 에뮬레이션 지원 기능을 갖추고 있습니다.




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      특징


      ✔️USB Type-C CC1/CC2 보호 스위치

      ✔️250mA 과전류 보호기능이 있는 통합 550mΩ VCONN FET

      ✔️1GHz 대역폭을 가진 USB 2.0 D+/D- 보호 스위치

      ✔️VBUS 측 단락으로부터 24V CC 및 USB 2.0 보호

      ✔️업계 호환 리셋 타이밍으로 자동 결함 감지 및 복구

      ✔️통합 Apple 및 Samsung 전용 충전 종단 레지스터

      ➡️USB BC1.2 CDP 및 DCP 모드 지원

      ➡️China YD/T 1591-2009 지원

      ➡️USB On-The-Go 사양 및 Apple CarPlay와 호환


      ✔️높은 ESD 보호(HVD+/HVD-, HVCC1/HVCC2)

      ➡️±2kV 인체 모델

      ➡️±15kV ISO 10605 공극

      ➡️±8kV ISO 10605 접점

      ➡️±15kV IEC 61000-4-2 공극

      ➡️±8kV IEC 61000-4-2 접촉

      ✔️4mm x 4mm 16핀 TQFN-EP 패키지

      ✔️작동 온도 범위: -40~+105°C

      ✔️AEC-Q100 및 AEC-Q006 인증



      애플리케이션


      ✔️자동차 라디오 및 내비게이션

      ✔️자동차 USB 허브

      ✔️자동차 멀티미디어 박스 애플리케이션




      관련 개발 도구




         

      Analog Devices / Maxim Integrated MAX25410EVKIT 포트 보호기 평가 키트

      자동차용 USB-PD 포트 보호기인 MAX25410을 시연합니다.


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      일반 애플리케이션







    • [전자부품] [반도체] 자동차용 쇼트키 다이오드 및 정류기-Diodes Inc   
      2024-02-01 10:38 | 조회수 : 7

      번호: 38










      Diodes Incorporated 자동차용 쇼트키 다이오드 및 정류기


      Diodes Incorporated 자동차용 쇼트키 다이오드 및 정류기는 AEC-Q101 인증을 받았으며 높은 신뢰성을 제공합니다.
      이 쇼트키 다이오드 및 정류기는 최대 60A의 정격 전류와 최대 100V의 정격 역방향 전압을 제공합니다.
      자동차용 쇼트키 다이오드 및 정류기는 고온에서 낮은 역 누설 전류가 특징으로, 회로 손실을 최소화하고 열폭주로부터 보호하는 능력을 높여줍니다.
      이 다이오드 및 정류기는 낮은 순방향 전압 강하를 제공하여 전도 손실을 줄이고 전체 효율을 개선합니다.





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      특징


      ✔️AEC-Q101 및 PPAP 레벨 3 인증
      ✔️100% 애벌랜치 테스트 통과
      ✔️다른 쇼트키 대체 제품에 비해 3~10배 더 큰 역방향 애벌랜치 성능
      ✔️최대 60A 정격 전류
      ✔️최대 100V 역방향 정격 전압
      ✔️고온에서 낮은 역방향 전류

      ✔️회로 손실 최소화
      ✔️열폭주로부터 보호 강화
      ✔️낮은 순방향 전압 강하
      ✔️전도 손실 감소
      ✔️공통 역 극성 보호 및 프리휠링 다이오드 회로에서 전반적인 효율 개선



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      Diodes Incorporated B1x0Q SMT 쇼트키 배리어 정류기

      과도 보호용 가드 링 다이 구조, 서지 과부하 정격 30A 피크, AEC-Q101


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    • [파파츠유튜브] 휴즈는 어떤 휴즈 사용해야 하나요? 유리관 세라믹 20mm 30mm   
      2023-05-04 11:16 | 조회수 : 27

      번호: 37

    • [휴즈기술] 파워휴즈 기술정보   
      2023-05-02 16:09 | 조회수 : 11

      번호: 36







    • [전자부품] 인덕터기술정보   
      2023-05-02 16:07 | 조회수 : 7

      번호: 35

      인덕터찾기   용어: 인덕터  헨리  유도기전력 

      토로이드      인덕턴스      자체인덕턴스 

      인덕터 읽는 방법: R은 소숫점 / μH(micro Henry) / 일반적 코일(coil) 이라고 부른다

      인덕터 기능 : 컨버터에서는 에너지를 잠시 저장했다 방출하면서 전압을 높이는 일 / 무선회로에서는 주파수동조용으로 사용

      인덕터[inductor]
      전류의 변화량에 비례해 전압을 유도하는 코일(권선).

      저항·콘덴서·전자관·트랜지스터·전원(電源) 등과 함께 전기회로를 이루는 가장 중요한 부품 가운데 하나이다. 구리나 알루미늄 등을 절연성 재료로 싸서 나사 모양으로 여러 번 감은 솔레노이드를 주로 사용한다. 즉, 도선을 감은 코일로 가장 기본적인 회로 부품이자 회로 소자이다.

      기호는 자기적인 결합을 뜻하는 링키지(linkage)의 머리글자를 따서 L로 표시한다. 전류의 변화량에 비례해 전압을 유도함으로써 전류의 급격한 변화를 억제하는 기능을 한다. 이때 회로에 흐르고 있는 전류의 변화에 따라 전자기유도로 생기는 역기전력(逆起電力)의 비율, 또는 권선에 흐르는 시간의 변화량과 권선에 발생하는 기전력의 비를 인덕턴스라고 한다.

      인덕터에 전류가 흐르고 있을 때 인덕터의 한 쪽을 갑자기 끊어 버리면, 전류는 순식간에 0이 되면서 매우 높은 전압이 발생하고, 이로 인해 끊어진 회로 부위에는 스파크가 일어난다. 이런 원리를 이용해 인덕터는 각종 전자제품, 발진회로, 전원회로의 전류저장소자 등에서 전류의 급격한 변화를 막고, 전기 잡음을 걸러내는 필터 등으로 사용된다.


      종류는 코일만 있는 공심 인덕터 외에 교류전류를 저지하는 초크코일 인덕터, 코일 속에 철·코발트화합물·페라이트 등의 자성체를 집어 넣어 자기장을 효율적으로 관리할 수 있는 인덕터 등 여러 종류가 있다.


      헨리[henry]
      인덕턴스를 표시하는 국제표준단위(SI unit)이다. 회로에 흐르는 전류의 크기가 매초 1A씩 변함에 따라 유도기전력 1V가 발생하면 회로의 인덕턴스가 1헨리(H)라고 한다. 단위의 이름은 전자기유도를 발견한 미국의 과학자 헨리(Josept Henry)의 이름에서 따 온 것이다. 1893년의 국제전기학회에서 승인되었다.

      상호 인덕턴스나 자체 인덕턴스를 표시하는 단위이다. 한 코일의 전류 변화가 초당 1A일 때, 다른 코일에 1V의 유도기전력이 발생하면, 상호 인덕턴스가 1헨리(H)라고 한다. 또한 코일이 하나 뿐일 때도 그 코일 자체에 유도기전력이 발생하는데, 초당 1A의 전류변화에 의해 그 코일 자체에 1V의 유도기전력이 발생하면 자체인덕턴스 1헨리(H)라고 한다. 따라서 헨리를 다음과 같은 단위들로도 바꿔 쓸 수 있다.


      전자기유도를 발견한 미국의 과학자 헨리(Josept Henry, 1797-1878)의 이름을 따서 단위의 이름이 명명되었다. 기호 H로 표시하거나 henry로 표기하기도 한다. 인덕터(코일)의 성질 정도를 나타내는 단위로 헨리를 사용하며, 보통 μH(micro henry)를 쓴다. 인덕터 겉면에 컬러코드나 숫자로 그 크기를 표시하고 있으며, 통상 전기회로에서 사용하고 있는 인덕터는 1μH~수H까지 다양하게 사용된다. 물질의 투자율을 나타낼 때도 헨리 단위가 쓰이며, 예를 들면 진공의 투자율은 4∏×10 -7 H/m이다.
      유도기전력[induced electromotive force,誘導起電力]
      전자기유도현상에 의해 생기는 기전력을 말한다. 시간에 따라 변하는 자기장 내부의 도체 혹은 자기장 내에서 움직이는 도체에서 발생하는 기전력으로 전압의 단위를 갖는다.
      1820년, 덴마크의 물리학자 외르스테드(Hans Christian Oersted, 1777-1851)는 전도전류가 자침을 움직이게 하는 현상을 발견하였다. 영국의 물리학자 패러데이(Michael Faraday, 1791-1867)는 여기서 더 나아가 자기장의 변화가 전류를 유도한다는 사실을 알아내었다. 이렇게 전류와 자기장이 서로 영향을 주고받는 것을 전자기유도현상이라고 한다. 폐회로(閉回路:예컨대 코일 등) 가까이에서 자석을 움직이거나 전류가 흐르는 다른 회로를 이용해 자기장을 변화시키면 폐회로에 전류가 통하게 되는데 이 때 전류를 생성하는 힘을 유도기전력이라고 한다. 유도기전력은 자기력선속에 대해 아래와 같은 식으로 표현된다.

      이 때, 기전력은 자기력선속의 시간에 대한 변화량에 비례하는 크기를 갖고 음의 부호를 갖는다. 이것은 유도기전력에 의한 유도전류가 자기력선속의 변화를 상쇄하는 방향으로 흐르는 것을 의미하며 이를 렌츠의 법칙이라고 부른다.



      유도기전력은 발전기가 역학적에너지를 전기에너지로 바꾸는 원리가 되며 자기장의 변화만으로 전력을 전달하는 비접촉식 송전기로 사용되기도 한다.


      토로이드[toroid]
      전선에 전류를 흘리면 전선 주위로 자기장이 형성된다. 이 자기장의 형성을 효과적으로 만들기 위해 전선을 원형으로 감게 되는데 직선 원통 형태로 감은 것을 솔레노이드, 원형 원통으로 감은 것을 토로이드라 한다. 이상적인 경우 토로이드 내부에는 자기장이 형성되지만 외부에는 자기장이 0이다.  

      원형으로 전선을 N번 감은 토로이드에 전류 I를 흘리게 되면 토로이드 내부에 자기장 B는 자기장과 전류 사이의 관계식인 암페어의 법칙을 사용하여 다음과 같은 식이 된다.
       
          B=μ0 N·I/2∏r
       
      여기서 μ0는 자유공간 투자율이라고 불리는 상수이며 다음과 같이 정의된다.
       
      μ0 =4∏10-7Wb/Am
       
      여기서 Wb(Weber)는 웨버라고 하는 자기장의 단위이고, A는 전류의 단위 암페어, m은 길이 단위 미터이다.
       
      이 식에서 보듯이 토로이드 내부의 자기장의 세기는 중심으로부터 거리 r에 반비례한다. 그러나 대부분의 경우에 토로이드 내부에서 자기장이 일정하다고 가정하며, 그 조건은 토로이드 중심에서 토로이드 내부까지 거리 r이 토로이드 반경 a보다 커야 한다. 또 r이 a보다 클수록 외부에 자기장이 없으며 토로이드 내부에도 균일한 자기장이 형성된다. 이 때 자기장의 방향은 전류가 흐르는 방향으로 나사를 돌렸을 때 나사가 진행하는 방향이며 원형을 그리며 토로이드를 돌게 된다.

      토로이드는 회로에서 인덕터로 사용하게 되어 유도리액턴스를 갖는다. 일반적으로 토로이드는 솔레노이드보다 높은 인덕턴스(단위 헨리H)를 갖는다. 보통 인덕턴스를 높이기 위해 높은 자기투자율을 가진 물질을 중심에 넣는다. 또한 토로이드를 변형하여 토카막을 만들며 핵융합장치로 이용한다.
       
      인덕턴스[inductance]
      회로를 흐르는 전류의 변화에 의해 전자기유도로 생기는 역기전력의 비율을 나타내는 양으로 단위는 H(헨리)이다. 자속(磁束) 변화의 원인에 따라 자체인덕턴스와 상호인덕턴스로 나눈다.
       
      단위는 H(헨리)이다. 회로를 흐르는 전류가 변하면 회로를 관통하는 자력선속(磁力線束)도 함께 변한다. 자속의 변화는 전자기유도현상을 일으키고 회로에는 전류의 변화를 방해하는 방향으로 유도기전력이 생긴다. 따라서 자속 변화의 영향을 많이 받는 고리모양의 회로, 특히 코일에서 이 현상이 두드러진다. 전자기유도현상에서 유도기전력의 크기는 자속의 변화율로 결정된다. 하지만 회로 또는 코일의 모양이 일정한 경우 자속의 변화량은 전류의 변화량에 비례하고, 이때 비례상수가 인덕턴스가 된다. 따라서 유도기전력의 크기는 인덕턴스와 전류의 시간당 변화율의 곱으로 표현된다.
       
      유도기전력의 원인, 즉 회로를 통과하는 자속 변화의 원인에 따라 두 가지로 나눈다. 역기전력이 자기 자신의 회로에 흐르는 전류의 변화로 유도될 때의 인덕턴스를 자체인덕턴스라 하고, 결합되어 있는 상대방의 회로에 흐르는 전류의 변화로 유도될 때는 상호인덕턴스라고 한다.

      자체인덕턴스[self-inductance]
      자체유도현상에서 전류의 시간당 변화율에 대한 역기전력의 비율. 자체유도가 일어나는 회로, 특히 코일에서 자체유도기전력의 크기를 결정한다.

      자체유도 또는 자기유도(自己誘導) 현상이 일어날 때, 전류의 시간당 변화율에 대한 자체유도기전력의 비율을 말한다. 자체유도현상은 회로에 흐르는 전류가 변할 때 회로를 관통하는 자속(磁束)도 함께 변하기 때문에 유도기전력이 유도되는 현상을 말한다. 예를 들어, 회로의 스위치를 끊는 순간 불꽃이 튀는 것은 전류가 급격히 감소함에 따라 스위치의 접점에 큰 유도기전력이 생기기 때문이다. 자체유도기전력의 방향은 전류의 변화를 방해하는 방향이며, 크기는 전류의 시간당 변화율에 비례한다. 이때 비례상수를 자체인덕턴스라 하며, 이것은 회로의 모양에 따라 결정된다. 따라서 자체인덕턴스를 L, 전류를 I라 할 때, 자체유도기전력 ε의 크기는 이다.
      전체저항이 R인 회로에 전압 V의 직류전원을 연결하면 옴의 법칙에 따라 전류 I는 I=V/R의 일정한 값으로 주어진다. 하지만 회로에 자체인덕턴스 L이 있으면 스위치를 닫을 때 전원의 반대방향으로 유도기전력이 생긴다. 따라서 저항에 순간적으로 걸리는 전압은 V보다 작고, 전류 또한 V/R보다 작다. 시간에 따른 전류의 크기를 i(t)라 하면 저항에 걸리는 전압 v(t)는 가 된다. 그리고 전류 i(t)는 옴의 법칙에 따라 의 식을 만족한다. 두 식을 풀어서 전류 i와 전압 v를 구하면 다음과 같다.


      이것을 그래프로 그려보면 스위치를 닫은 후 전압과 전류는 곡선을 그리며 증가한다. 그리고 시간이 지나면 결국 일정한 값 V와 I가 되고 유도기전력은 사라진다. 반대로 스위치를 열 때 역시 같은 방식으로 계산해 보면 가 되어 전류와 전압은 시간에 따라 천천히 감소한다.







    • [휴즈기술] 전선두께 SQ AWG mm   
      2023-05-02 15:54 | 조회수 : 6

      번호: 34



    • [구매후기] LP-CC-15 [T15A 10X38mm 600Vac 300Vdc Time Delay   
      2023-05-02 15:45 | 조회수 : 6

      번호: 33



    • [휴즈기술] Fuse의 원리 및 선정 방법   
      2022-07-28 12:14 | 조회수 : 31

      번호: 32










































    • 휴즈가 용단되면서 폭발하는 이유는 사용중인
      휴즈의 차단용량이 낮아서 그렇습니다.

      휴즈에는 정격전류외에 휴즈가 폭발하지 않고
      안전하게 용단할 수 있는 한계를 의미하는
      차단용량이라는 값이 있는데 이 값 이상의
      전류가 인가되었기 때문에 폭발하는 것입니다.

      일반적으로 유리관으로 되어 있는 휴즈는 차단용량이
      낮은 제품이며, 세라믹으로 되어 있는 제품은
      차단용량이 높은 제품입니다.

      휴즈가 용단되면서 계속 폭발한다면 사용중인 휴즈를
      세라믹으로 되어 있는 휴즈로 교체하는 것이 바랍직합니다.

    • [휴즈기술] 휴즈 용량에 대한 질문   
      2022-07-28 12:14 | 조회수 : 13

      번호: 30

      먼저 휴즈는 순전히 주울열(I2RT)에 의해 영향을 받습니다.
      즉 주어진 휴즈의 저항값에 전류가 얼마나
      긴 시간 동안 흐르냐에 따라 용단시간이 결정되는 것입니다.

      주울의 법칙에서 볼 수 있듯이 전압(V)은
      휴즈의 용단시간에는 관계가 전혀 없다는 사실을 알 수 있을 겁니다.

      따라서 휴즈의 용단시간은 전류의 량이 결정을 한다고 보시면 됩니다.

      12V 5A에서 차단을 원하는 휴즈를 원하신다면 5A보다 작은 전류치를 사용하셔야 합니다.

      보통 5A휴즈에 5A를 흘리면 4시간이상 지속 되어도 휴즈는 용단되지 않습니다.
      일반적인 규격이 정격전류의 100%에서는 4시간이상 지속하고, 200%에서는 10초 이내에 용단됩니다.

      따라서, 휴즈선정에는 여러가지 변수가 있습니다만, 12V 5A의
      전류가 흘렀을 때 10초이내에 차단을 원하신다면 2.5A나 3A 정도의 휴즈를 사용하시면 될 것 같습니다.
      물론 휴즈의 전압은 24V, 63V, 125V 250V 아무거나 관계없습니다.
      전압은 회로 전압보다 높은 것을 사용하실 수록 좋습니다.

    • [휴즈기술] I2t의 계산   
      2022-07-28 12:14 | 조회수 : 5

      번호: 29

      전류가 9.24A이지만 넉넉하게 9.3A로 봐준 것입니다.
      따라서 9.3*9.3*0.32=27.68이 되는 것입니다.

      전류값이 1보다 작아도 동일한 공식이 적용돼야 합니다.
      이러한 휴즈의 수명을 계산하는 방법은 여러 가지가 있습니다.
      여기에서 제시한 것처럼 I2t를 가지고 비교하는 방식이 있는가 하면
      Fulse Factor를 가지고 계산하는 방법등
      여러가지 방법들이 있을 수 있습니다.


      접근하는 방법의 차이이지 결과는 모두 비슷하죠.
      이러한 수명에 대한 접근방식은 제조사에서 제시하는
      방법으로 계산하시는 것이 바람직할 것입니다.

    • [휴즈기술] Time Lag Fuse와 Slow-Blow Fuse의 차이점   
      2022-07-28 12:13 | 조회수 : 6

      번호: 28

      먼저 회사마다 휴즈의 특성에 따른 명칭이 약간씩 차이가 있습니다.
      대표적인 분류방식을 보면 아래와 같으며 오른쪽으로 갈수록
      돌입전류에 대한 반응정도가 강한 특성을 지니고 있다고 보시면 됩니다.


        약함                    중간                         강함
      ---------------------------------------------------
      1. Fast-acting --- Slow-blow  ----------- Time-lag
      2. Fast-acting --- Midum slow-blow ----- Slow-blow


      질문내용처럼 Slow-blow 와 Time-lag가 같이 있다면
      Time-lag가 Slow-blow보다 돌입전류에 대한 반응정도가 강하다고 보시면 됩니다.

      물론 재질이나 구조도 약간씩 차이가 있다고 할 것 입니다.

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